碳化硅二极管制程工艺

【文件属性】：

文件名称：碳化硅二极管制程工艺

文件大小：923KB

文件格式：PDF

更新时间：2021-12-03 09:01:18

元器件 二极管应用

硅IGBT在一般情况下只能工作在20kHz以下的频率。由于受到材料的限制，高压高频的硅器件无法实现。碳化硅MOSFET不仅适合于从600V到10kV的广泛电压范围，同时具备单极型器件的卓越开关性能。相比于硅IGBT，碳化硅MOSFET在开关电路中不存在电流拖尾的情况具有更低的开关损耗和更高的工作频率。