单带差超晶格中ZnS薄膜的制备及其性质 (2010年)

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文件名称：单带差超晶格中ZnS薄膜的制备及其性质 (2010年)
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更新时间：2021-06-05 15:38:52
自然科学 论文 利用射频磁控溅射法制备了单带差超晶格中ZnS薄膜．通过XRD和AFM的观察,对其结构进行了研究,并确定了制备均匀致密的多晶ZnS薄膜的最佳条件．此外,对300℃和 400℃衬底温度下的ZnS薄膜的光透过谱和吸收谱进行了对比,计算出了溅射法制备的ZnS薄膜的光能隙分别为3.82 eV,3.81 eV,与理论值一致．这种高透过率、均匀致密的ZnS薄膜可用于研制新型高效率的单带差超晶格ZnS/CdS/P-CdTe太阳电池．