文件名称：TiSiN纳米复合薄膜的制备及其力学性能 (2012年)
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更新时间：2024-06-15 14:15:09
工程技术 论文
采用离子束溅射与磁过滤阴极弧共沉积技术在单晶硅片(400)表面制备 Si 含量(摩尔分数)为 3.2%~15.5%范围内的TiSiN 薄膜。采用 X 射线光电子能谱(XPS)、电子散射谱(EDS)、X 射线衍射仪(XRD)研究 TiSiN 薄膜的显微结构和力学性能。结果表明：低Si 含量的薄膜以面心立方晶型的Ti(Si)N 固溶体形式存在，择优晶面为(200)面；当 Si 含量饱和后，出现 Ti(Si)N 和 Si3N4 非晶相，形成 Ti(Si)N/Si3N4 纳米复合结构。薄膜硬度范围在 22~26G