文件名称：中高能电子入射单电离He原子过程中屏蔽效应的理论研究 (2010年)
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更新时间：2024-05-27 11:50:16
自然科学 论文
这篇文章用3C和DSaC模型,在不同几何条件下研究了中高能电子入射单电离He原子的三重微分截面(TDCS),将计算结果与早期的测量和最新的绝对测量结果进行了比较;分析了有效电荷对三重微分截面影响.研究表明:在中高入射能下,截面的角分布由binary峰和recoil峰组成,末态电子与电子之间的排斥作用对峰的大小有显著贡献.更进一步,修正后的binary峰的幅值对入射电子能量E0和散射电子偏角θ1的变化比较敏感.