大气压下等离子体喷涂制备Cu/W涂层性能研究 (2011年)

时间:2024-05-27 20:01:26
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文件名称:大气压下等离子体喷涂制备Cu/W涂层性能研究 (2011年)

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更新时间:2024-05-27 20:01:26

工程技术 论文

采用大气压等离子体喷涂和高速大气压等离子体喷涂技术制备cu/w涂层,分别对该涂层断面的表面形貌、孔隙率、氧含量和结合强度进行测试分析。结果表明,高速大气压等离子体喷涂技术制备的Cu/w涂层在孔隙率和氧含量方面突显优势。采用高速大气压等离子体喷涂技术制备的cu/w涂层孔隙率低于3%,且大部分孔径均小于1μm,利用EDS测得的W涂层氧含量为w(0)=0.41%,该值与真空等离子体喷涂制备的w涂层含氧量接近。与真空等离子体喷涂技术相比,高速大气压等离子体喷涂制备w涂层技术的复杂性和制作成本显著降低,在工程应用中


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