文件名称：CCD的结构和基本原理-光电探测与信号处理
文件大小：5.65MB
文件格式：PPT
更新时间：2024-05-15 21:57:36
光信息
4、CCD的结构和基本原理 CCD由若干个电荷耦合单元组成，该单元的结构如图所示。 CCD的最小单元是在P型（或N型）硅衬底上生长一层厚度约为120nm的SiO2，再在SiO2层上依次沉积铝电极而构成MOS的电容式转移器。将MOS阵列加上输入、输出端，便构成了CCD。当向SiO2表面的电极加正偏压时，P型硅衬底中形成耗尽区（势阱），耗尽区的深度随正偏压升高而加大。少数载流子(电子)被吸收到最高正偏压电极下的区域内(如图中Ф1极下)，形成电荷包(势阱)。N型硅衬底的CCD器件，电极加正偏压时，少数载流子为空穴。