文件名称：基于γ51的电光调制器的可行性研究 (2011年)
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更新时间：2024-05-30 10:24:42
自然科学 论文
通过对不同晶系线性电光系数矩阵的分析计算，研究了利用晶体电光系数γ51实现电光调制的可能性．结果分析表明，在电场中的γ51引起折射率的变化与x方向电场强度E2 1成正比；利用KTa0.35Nb0.65O3晶体的巨大γ51参数引起的二次电光效应，可以获得较低的半波电压；在立方-四方相变点附近的KTa1-xNbxO3晶体有极大克尔系数的现象，同时γ51参数电光效应也得到了解释．