KSi能带结构及态密度的第一性原理研究 (2010年) 时间:2021-05-22 00:46:15 【文件属性】: 文件名称:KSi能带结构及态密度的第一性原理研究 (2010年) 文件大小:701KB 文件格式:PDF 更新时间:2021-05-22 00:46:15 自然科学 论文 采用基于第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法,对 KSi的电子结构进行了理论计算,计算表明 KSi是一种准直接带隙半导体,禁带宽度为1.42 eV。详细讨论了 KSi在费米面附近的价带与导带的电子态密度的 结构。 立即下载