KSi能带结构及态密度的第一性原理研究 (2010年)

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文件名称：KSi能带结构及态密度的第一性原理研究 (2010年)

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更新时间：2024-06-10 18:32:55

自然科学 论文

采用基于第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法,对 KSi的电子结构进行了理论计算,计算表明 KSi是一种准直接带隙半导体,禁带宽度为1.42 eV。详细讨论了 KSi在费米面附近的价带与导带的电子态密度的 结构。