单晶硅薄膜法向热导率的分子动力学模拟 (2007年)

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文件名称：单晶硅薄膜法向热导率的分子动力学模拟 (2007年)
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更新时间：2021-05-28 14:28:18
自然科学 论文 结合卫星“微型核”的特点，用分子动力学模拟的方法研究了硅晶体的热导率与其厚度的依变关系.采用Tersoff势能函数，用非平衡分子动力学方法(NEMD)研究了温度为400K和500K，厚度为2.715～10.86nm的单晶硅薄膜的热导率．模拟结果表明：在温度为400K和500K时，薄膜热导率的计算值均随厚度的增加而增加，并显著小于体硅的实验值，在模拟范围内法向热导率与薄膜厚度呈近视线性关系．模拟结果表现出明显的尺寸效应．厚度为2.715nm和8.145nm的单晶硅薄膜的热导率随着温度的升高反而下降，且厚度越