一种低温漂CMOS带隙基准电压源的设计 (2004年)

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文件名称：一种低温漂CMOS带隙基准电压源的设计 (2004年)

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更新时间：2024-06-08 21:12:47

工程技术 论文

阐述了一种采用了一阶温度补偿技术设计的CMOS带隙基准电压源电路。该电路采用Chartered 0.25μm N阱CMOS工艺实现。基于HSPICE的仿真结果表明：当温度在-25℃到85℃之间变化时该电路输出电压的温度系数为12·10-6/℃。在3.3V电源电压下的功耗为3.8mW，属于低温漂、低功耗的基准电压源。