1.8V高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源 (2007年)

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文件名称：1.8V高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源 (2007年)
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更新时间：2021-05-16 16:38:43
工程技术 论文 通过对电压源传统设计中关于速度、噪声、工作温度范围方面的研究，设计了一种带隙基准电压源。基于TSMC工艺套件的电路模拟仿真表明，该电路可在1.5～1.8V电压下正常工作，功耗小于0.5mW，输出电压为1.25V，温度系数低于1.8×10-5/℃，且低频下PSRR的值可以达到-110dB。