硼酸镁晶须的制备及其中子辐射屏蔽性能 (2012年)

时间:2024-07-03 19:30:45
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文件名称:硼酸镁晶须的制备及其中子辐射屏蔽性能 (2012年)

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更新时间:2024-07-03 19:30:45

工程技术 论文

采用高温固相法制备硼酸镁晶须的最佳工艺条件为:焙烧温度大于900℃,焙烧时间为8.0 h.制得的晶须粗细均匀,晶型完美,直径约为1.5μm,长度约35μm,长径比约为24.经XRD、SEM和FT- IR 分析确定为硼酸镁晶须.以酚醛树脂为基体,添加硼酸镁晶须制备硼酸镁晶须/酚醛树脂复合材料,探讨了硼酸镁晶须添加量和材料厚度对热中子屏蔽率的影响;当硼酸镁晶须添加量为40份时,热中子屏蔽率为73.64%,继续增加添加量,热中子屏蔽率增幅不大;材料厚度为1.0 cm时,热中子屏蔽率为85.01%,继续增加厚度,


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