基于CMOS工艺宽带LC压控振荡器研究* (2009年)

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文件名称：基于CMOS工艺宽带LC压控振荡器研究* (2009年)
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更新时间：2021-05-10 10:27:21
工程技术 论文 设计了一种应用于无线通信系统的宽带电感电容(LC)压控振荡器(VCO)，电路采用开关电容阵列获得了宽频率覆盖范围；利用开关可变电容阵列减小了调谐增益变化；并通过采用高品质因数的差分电感和噪声滤波技术获得了低相位噪声。电路设计采用SMIC 0．18μm CMOS工艺。仿真结果表明：在工作电压为1．8 V时，直流功耗为9 mW，压控振荡器的频率范围870～1500 MHz(53％)，调谐增益在67 MHz／V至72 MHz／V之间。相位噪声优于-100 dBc／Hz@100 kHz。