文件名称：氮化镓低维纳米结构的制备与表征 (2007年)
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更新时间：2024-06-14 00:03:35
工程技术 论文
主要是以氧化镓为原料，通过气相沉积法，制备出GaN纳米线和纳米带．通过X-射线衍射(XRD)，扫面电镜(SEM)和高分辨透射电镜(HRTEM)等测试手段对其形貌进行了表征和分析．研究了实验过程中工艺条件的改变对所制备GaN纳米结构形貌特征的影响．对两种GaN纳米材料的拉曼散射光谱进行了分析．
氮化镓低维纳米结构的制备与表征 (2007年)
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