文件名称：碳纳米管场发射阴极的厚膜工艺研究 (2004年)
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更新时间：2024-05-28 20:22:39
工程技术 论文
研究了制备碳纳米管（CNT）场发射阴极的厚膜工艺，通过浆料配方和烧结工艺等方面的探索，在Si基底上制作了均匀、平整、场发射特性良好的CNT厚膜。CNT厚膜工艺研究表明，CNT浆料中银浆的最佳比例约为4.2%，最佳烧结温度为480℃（空气中），才能保证厚膜有较强的附着力，CNT又不至于全部氧化。银浆比例过大，则使高电压时场发射电流明显下降，通过对CNT厚膜的场发射特性测量得知，其开启电压为2.4V/μm，在5V/μm的电场下，场发射电流密度为27.8μA/cm2，但发光显示情况不佳，通过使用含有机粘结剂的浆