碳化硅陶瓷预制体的选区激光烧结及真空压力渗铝 (2008年)

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文件名称：碳化硅陶瓷预制体的选区激光烧结及真空压力渗铝 (2008年)
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更新时间：2021-05-24 07:01:04
工程技术 论文 提出采用选区激光烧结法(SLS)制备碳化硅(SiC)陶瓷预制体,探讨SiC陶瓷表面改性对激光烧结成形性的影响,进行SiC陶瓷粉末的激光烧结成形工艺实验,并对SiC陶瓷激光烧结件进行热脱脂和真空压力渗铝。结果表明: SiC陶瓷表面经硅烷偶联剂KH-570(5%)改性处理后的激光烧结成形性得到很大的改善;同时,所添加粘结剂中的无机磷酸二氢氨含量控制在 8%,其激光能量密度在 0.10~0.12 J/mm2范围内均能烧结成形,而激光能量密度0.11 J/mm2的烧结件密度为2.31 g/cm3,抗弯强度达到0.