文件名称：基于热力学方法和热力学计算研究非均相React
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更新时间：2024-07-19 16:01:54
学术 论文
用于基于热动力学方法和热力学计算的非均相React研究 化学，Linnéstr。 3, D-04103 Leipzig bUniversität Leipzig, Institute for Experimental Physics II, Linnéstr. 5、D-04103莱比锡关键词：MOVPE； AIIIBV 化合物 在 AIIIBV 化合物中加入硼和氮是通过形成混合晶体来有针对性地改变带隙的合适选择。 这种混合晶体层根据它们改变的带隙和吸收系数，作为太阳能电池中的吸收层（晶格适应（001）GaAs衬底材料）和半导体激光器结构中的活性材料（强应变量子阱）形成了有前景的材料基础. 亚稳态混合晶体 BxGa1 x yInyAs、BxAl1 x yGayAs、InxGa1 xNyAs1 y 和 AlxGa1 xNyAs1 y 在 (001) GaAs 衬底上以单晶层的形式合成是通过有机金属气相外延进行的(MOVPE) 在 500 至 650°C 的低压系统中使用标准来源三甲基镓、-铝、-铟、AsH3 和替代材料叔丁基胂、二甲基肼和三乙基硼。 B 掺入 Ga 和 N 掺入 GaAs