文件名称：PMOSFET的动态NBTI效应模型研究 (2010年)
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更新时间：2024-05-11 19:29:30
自然科学 论文
为了能够准确地预测器件的寿命，研究了PMOSFET中的动态负偏压温度不稳定性效应（NBTI）模型。在静态NBTI效应模型及反应一扩散模型（R-D）的基础上，推导出动态NBTI应力下界面陷阱电荷模型，其与占空比成指数关系。考虑到占空比对器件NBTI效应的影响，推导出动态NBTI应力下阈值电压退化模型。通过实验所得到的器件退化数据和仿真数据进行比较分析，证明了阈值电压漂移量随着占空比近似按照指数规律变化，与模型相符合，可以预测器件交流应力的实际寿命。