CuS/ TiO2纳米管异质结阵列的制备及光电性能 (2013年)

时间:2024-05-30 01:58:43
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文件名称:CuS/ TiO2纳米管异质结阵列的制备及光电性能 (2013年)

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更新时间:2024-05-30 01:58:43

自然科学 论文

利用水热反应制备了CuS/ TiO2纳米管异质结阵列,采用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射谱(XRD)等手段表征了异质结阵列的表面形貌和晶体结构.电流-电压曲线结果表明,CuS/ TiO2纳米管异质结阵列具有明显的整流效应.根据表面光电压谱和相位谱,在376 ~ 600 nm之间,CuS/ TiO2纳米管异质结阵列表现为p型半导体特征,电子在表面聚集;在300 ~376 nm之间表现为n型半导体特征,空穴在表面聚集;在376 nm处异质结阵列的表面光伏响应为零.Cu


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