PI/Mg(OH)2纳米复合薄膜的介电性能 (2014年)

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文件名称：PI/Mg(OH)2纳米复合薄膜的介电性能 (2014年)
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更新时间：2021-05-26 05:26:20
自然科学 论文 采用原位聚合法制备了聚酰亚胺(PI)/氢氧化镁(Mg(OH)2)纳米复合薄膜，设定Mg(OH)2掺杂量的质量分数分别为0％，1％，2％，4％和8％，研究纳米氢氧化镁不同掺杂量对聚酰亚胺薄膜电导电流、电老化阈值、介电系数的影响．结果表明：纳米氢氧化镁掺杂量质量分数为4％时，复合薄膜的电导电流出现最大值；随着Mg(OH)2掺杂量的增加，复合薄膜的电老化阈值和介电系数均逐渐增大．