文件名称:GaAs-Ga_(1-x)AI_xAs双异质结激光器欧姆接触的研究 (1975年)
文件大小:332KB
文件格式:PDF
更新时间:2024-06-20 21:15:31
自然科学 论文
我们用正交表研究GaAs的欧姆接触工艺,实验结果表明,p―GaAs甩Au―Cr金、n―GaAs用Ag―Sn合金的欧姆接触工艺,比接触电阻率Rc<10~(-4)(欧姆)(厘米)~3应用于GaAs―Ga_(1-x)Al_xAs双异质结激光器,得到良好的效果。
文件名称:GaAs-Ga_(1-x)AI_xAs双异质结激光器欧姆接触的研究 (1975年)
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自然科学 论文
我们用正交表研究GaAs的欧姆接触工艺,实验结果表明,p―GaAs甩Au―Cr金、n―GaAs用Ag―Sn合金的欧姆接触工艺,比接触电阻率Rc<10~(-4)(欧姆)(厘米)~3应用于GaAs―Ga_(1-x)Al_xAs双异质结激光器,得到良好的效果。