SiC MOSFET驱动电路及实验分析 (2013年)

时间:2024-06-08 06:31:44
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更新时间:2024-06-08 06:31:44

工程技术 论文

根据SiC MOSFET开关特性,设计了一种SiC MOSFET的驱动电路,在此基础上采用双脉冲测试方法,对SiC MOSFET的开关时间、开关损耗等进行了实验测量,分析了不同驱动电阻对SiC MOSFET开关时间、开关损耗等的影响。


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