Ta: SnO2薄膜的制备与性能研究 (2013年)

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文件名称：Ta: SnO2薄膜的制备与性能研究 (2013年)
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更新时间：2021-04-28 03:15:02
自然科学 论文 SnO2 作为一种典型的宽带隙半导体材料具有许多优异的物理和化学性质，例如极高的电子电导率、可见光透过率和化学稳定性，因此广泛用于光电材料、太阳能电池和气敏材料等各领域。采用溶胶-凝胶法在玻璃基片上制备了Ta 掺杂SnO2 透明导电薄膜，其中Ta 含量在8atom． %左右。Ta： SnO2 薄膜的表面形貌较平整，但由于局部应力使薄膜出现了细小的断裂。Ta： SnO2 薄膜为金红石结构，结晶程度较高，由于Ta5 +、Sn4 +离子半径接近，Ta 原子溶入SnO2 的晶格中置换Sn 原子位置形成了稳定均一的