文件名称：Ce，Sm联合掺杂TiO2薄膜制备及其电致变色特性 (2013年)
文件大小：388KB
文件格式：PDF
更新时间：2024-05-29 12:46:46
自然科学 论文
以钛酸四丁酯、硝酸铈和硝酸钐为主要原料，采用溶胶-凝胶法在ITO导电玻璃基片表面制备 Ce，Sm联合掺杂TiO2电致变色薄膜，Ce，Sm掺杂的摩尔分数分别为0，2％，5％和10％．采用电化学工作站和紫外可见分光光度计，研究了薄膜的循环伏安特性和光谱特性．结果表明，Ce，Sm的摩尔分数为2％时，薄膜的峰值电流最大，电荷存储能力最强，注入电荷密度为15．12 mC・cm-2，循环可逆性K值为0．7．Ce，Sm的摩尔分数为5％和10％时，随着掺杂量的增加，薄膜的峰值电流减小，电荷存储能力变弱．Ce，Sm掺杂Ti