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文件名称：硅基 PZT薄膜的制备与工艺损伤 (2003年)
文件大小：410KB
文件格式：PDF
更新时间：2021-04-25 03:57:00
自然科学 论文
以 PbTiO 3(PT)作为种子层,在 Si衬底上用改进的溶胶凝胶法制备了 PZT薄膜,并用 RIE法刻蚀形成 MFM(金属铁电层金属)结构的电容,以用于铁电随机存取存储器 (FeRAM)中。测得 PZT薄膜相对介电常数、矫顽场和剩余极化强度分别为 1 000, 30kV/cm和 16μC/cm 2,漏电流在 0. 1 nA/cm 2量级,达到 FeRAM的应用要求。铁电膜与CMOS电路集成时对铁电膜的铁电性可能造成的工艺损伤(如刻蚀损伤、氢损伤和应力损伤等)的物理机制进行了初步研究和讨论,并提出了一些