文件名称：论文研究-High-Order Analytic Approximation for MOSFET Surface Potential with Lateral Channel Field Effect.pdf
文件大小：195KB
文件格式：PDF
更新时间：2022-09-06 13:58:15
microelectronics
考虑横向电场效应的MOSFET表面势高阶解析计算，常胜，黄启俊，横向电场效应将使MOSFET沟道不满足均匀梯度近似并影响表面势的分布。本文给出了一种对考虑横向电场效应MOSFET表面势的高阶解析计算。