文件名称：GaN基APD日盲紫外探测器读出电路设计* (2013年)
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更新时间：2024-05-30 04:24:03
工程技术 论文
基于GaN基APD(雪崩二极管)日盲紫外探测器工作原理，我们设计了GaN-APD日盲紫外探测器的读出电路(ROIC)。考虑到GaN-APD日盲紫外探测器的特性，我们重点研究了80 V高压击穿保护电路、暗电流消除电路以及为CTIA运放电路的电流偏置电路和带隙基准电路。在此基础上，我们设计了1×8的电路并进行了仿真验证，读出电路耐高压不小于80 V，当积分电容为4 pF，积分时间为25 μs，时钟频率为100 kHz的时候，电路的电荷存储能力为5.6×107个，输出电压摆幅在0~2.25 V，读出电路的输出电