文件名称：带有边缘凸起的之字形硅纳米带的电子和自旋输运性质
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更新时间：2024-05-13 01:10:51
研究论文
我们使用密度泛函理论结合非平衡格林函数方法研究了在边缘处具有一个或两个突起的锯齿形硅纳米带（ZSiNRs）的电子传输性能。 已经发现，突起通常沿着相同的边缘破坏边缘状态，该边缘状态在结中承载电流。 对于在宽度上具有偶数个之字形链的ZSiNR，除了两个对称突起的情况之外，突起可以增加电导。 对于宽度上具有奇数字形链的ZSiNR，边缘突起的引入可以抑制电流。 我们还研究了具有反平行（AP）磁性配置的基于ZSiNR的设备的自旋相关输运性质。 有趣的是，只有宽度为偶数之字形链的非对称和对称突出模型显示出完美的自旋滤镜效果。