用于研究SOI的最新（2017年4月）BSIM模型

【文件属性】：
文件名称：用于研究SOI的最新（2017年4月）BSIM模型
文件大小：2.81MB
文件格式：GZ
更新时间：2021-11-28 05:07:19
FDSOI PDSOI 伯克利大学团队开发的BSIMSOI模型的最新版，其中NMOS和PMOS模型都是以VA语言编写，注意，虽然文档中没有说明使用尺寸，但是我试了一下，最小适用于0.18μm，沟长再小，短沟道效应比较严重，器件特性变化明显。

【文件预览】：
code
----bsimsoi.va(381KB)
BSIM-SOI_4.6.1_update.pdf
BSIM-SOI_4.6.1_technical_manual.pdf
benchmark_test
----test3.lis(21KB)
----test1.sp(390B)
----test4.sp(394B)
----inverter_tr.lis(12KB)
----test4.lis(13KB)
----inverter_dc.sp(327B)
----test7.lis(21KB)
----modelcard.pmos(2KB)
----test8.lis(13KB)
----ring_osc.lis(24KB)
----nodechk_tests()
--------case15.lis(10KB)
--------case4.lis(10KB)
--------case9.sp(491B)
--------case2.lis(10KB)
--------case16.sp(501B)
--------case13.lis(10KB)
--------modelcard.pmos(2KB)
--------case10.lis(10KB)
--------case12.sp(501B)
--------case12.lis(10KB)
--------case8.sp(500B)
--------case10.sp(495B)
--------case6.sp(494B)
--------case5.sp(491B)
--------case4.sp(500B)
--------case14.lis(10KB)
--------case7.sp(497B)
--------case5.lis(9KB)
--------case7.lis(10KB)
--------case14.sp(495B)
--------modelcard.nmos(2KB)
--------case6.lis(10KB)
--------case1.lis(9KB)
--------case3.sp(494B)
--------case11.sp(498B)
--------run_all.sh(956B)
--------case8.lis(10KB)
--------case11.lis(10KB)
--------case2.sp(491B)
--------case9.lis(9KB)
--------case3.lis(10KB)
--------case15.sp(498B)
--------case13.sp(492B)
--------case1.sp(491B)
--------case16.lis(10KB)
----test5.lis(23KB)
----ring_osc.sp(1KB)
----test6.lis(23KB)
----test6.sp(423B)
----test8.sp(424B)
----modelcard.nmos(2KB)
----inverter_tr.sp(414B)
----run_all.sh(543B)
----test7.sp(426B)
----test5.sp(396B)
----inverter_dc.lis(10KB)
----test2.lis(16KB)
----test1.lis(43KB)
----test3.sp(389B)
----test2.sp(389B)