GaAs光电导开关激子效应的光电导特性 (2011年)

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文件名称：GaAs光电导开关激子效应的光电导特性 (2011年)
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更新时间：2021-05-31 03:20:41
自然科学 论文 从GaAs光电导开关的激子效应和光激发电荷畴理论基础出发,研究了强电场触发下GaAs 光电导开关激子效应的光电导特性;光激发电荷畴与激子效应的相互作用以及激子的形成、传输及离解过程形成*电子和空穴,为激子激发光电导提供了必要的条件。影响激子效应的光电导特性的主要因素有:激子能级的吸收,束缚激子及光激发电荷畴引起的能带重整化效应,多声子跃迁,束缚激子沿位错线发生分裂和漂移。在上述因素的相互耦合作用下,使得GaAs光电导开关激子效应的光电导呈现出一定的振荡特性。