【文件属性】：
文件名称：双PN通道增强型场效应管
文件大小：274KB
文件格式：PDF
更新时间：2018-09-20 05:35:43
FDC6321C
这些双N和P沟道逻辑电平增强模式
场效应晶体管都采用飞兆半导体生产的
专有的，高密度，DMOS技术。这很
高密度的过程特别是针对减少
通态电阻。该器件的设计
特别是对于低电压应用，以替换
数字晶体管负载开关应用。由于偏置
电阻不需要此双数字FET可以取代
几个数字晶体管具有不同的偏置电阻。