双PN通道增强型场效应管

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文件名称：双PN通道增强型场效应管

文件大小：274KB

文件格式：PDF

更新时间：2018-09-20 05:35:43

FDC6321C

这些双N和P沟道逻辑电平增强模式 场效应晶体管都采用飞兆半导体生产的 专有的，高密度，DMOS技术。这很 高密度的过程特别是针对减少 通态电阻。该器件的设计 特别是对于低电压应用，以替换 数字晶体管负载开关应用。由于偏置 电阻不需要此双数字FET可以取代 几个数字晶体管具有不同的偏置电阻。