在非催化基质上控制厚度的纳米石墨烯和纳米石墨膜的直接生长

【文件属性】：
文件名称：在非催化基质上控制厚度的纳米石墨烯和纳米石墨膜的直接生长
文件大小：762KB
文件格式：PDF
更新时间：2021-04-30 09:45:50
研究论文 金属催化化学气相沉积已被广泛用于大规模生产高质量石墨烯。 然而，需要随后的转移至目标衬底的过程，这与当前的硅技术不兼容。 我们在此报告了一种新的化学气相沉积方法，可在800℃下直接在非催化基质（例如二氧化硅和石英）上形成具有精确厚度控制的纳米石墨烯和纳米石墨薄膜。 生长时间短至几秒钟。 该方法包括使用9-双（二乙基氨基）甲硅烷基蒽作为碳源和原子层沉积控制系统。 使用原子力显微镜，高分辨率透射电子显微镜，拉曼散射和X射线光电子能谱对形成的纳米石墨烯和纳米石墨薄膜的结构进行了表征。 该纳米石墨膜在550nm下显示出高于80％的透射率，并且在室温下的薄层电阻为每平方2000欧姆。 还观察到纳米石墨膜的电阻的负温度依赖性。 而且，可以通过使用原子层沉积系统的沉积循环来精确地控制膜的厚度，这为光电和热电子设备带来了巨大的应用潜力。