Al-Si合金枝晶生长相场法模拟影响因素 (2009年)

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文件名称：Al-Si合金枝晶生长相场法模拟影响因素 (2009年)
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更新时间：2021-05-25 03:49:49
自然科学 论文 采用相场法技术，确定了噪声、初始晶核半径、各向异性及过冷度等因素对枝晶生长形貌模拟的影响规律。结果表明：在保证初始晶核不被熔化的前提下，初始晶核半径r0的大小不影响模拟结果；随着界面各向异性系数的增大，枝晶尖端生长速度以线性方式增大，而枝晶尖端半径以抛物线方式减小；过冷度越小，枝晶的生长越困难，越不能出现二次枝晶。相场法模拟影响因素对枝晶生长形貌模拟有重要的影响。