硅材料的太赫兹波频域特性分析 (2008年)

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文件名称：硅材料的太赫兹波频域特性分析 (2008年)
文件大小：2.18MB
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更新时间：2021-06-12 22:42:09
工程技术 论文 对不同电阻率的N型硅材料（电阻率从5~100Ω?cm）在太赫兹波波段的折射率、消光系数和吸收系数等特性参数，利用返波振荡器（BWO）太赫兹波系统进行了测试、计算和分析，得到N型硅在0.23THz到0.375THz频段范围内的光学特性。表明在这一波段N型硅的太赫兹波吸收系数随着电阻率的增加而减小，吸收系数最小值可达到3.39×10-4cm-1。分析表明，它将是潜在的太赫兹波波导的最佳候选材料。