文件名称：模拟电子技术基础 试卷
文件大小：215KB
文件格式：DOC
更新时间：2013-11-19 07:29:01
模拟 电子 技术 基础
模拟电子技术基础 试卷 武汉理工大学考试试题纸（ 卷） 填空题（本大题共20分，每空1分，）： 1.理想二极管的正向电阻为 零 ，反向电阻为 无穷大 。 2.当正向电压 小于死区电压的绝对值 ，或反向电压 低于击穿电压 时，二极管截止。 3.当PNP型锗管处在放大状态时，在三个电极电位中，以 发射 极电位最高， 集电 极电位最低， 基 极和 发射 极电位之差约等于 -0.3V 。