文件名称：基于结构函数的功率MOSFET器件热阻研究 (2012年)
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更新时间：2024-07-01 16:16:01
工程技术 论文
热阻是衡量功率MOSFET器件散热能力的重要参数，对其准确测试与分析具有重要意义。基于结构函数理论，同一功率MOSFET器件在不同条件下进行两次实验，通过积分结构函数分离点来确定器件热阻。该方法简单准确，可重复性好，实验测试结果为0.5 K/W，与有限元(FE)建模获得的0.44 K/W符合较好。对比两不同批次器件的微分结构函数，其中一种器件微分结构函数发生0.2 K/W偏移，超声波扫描(SAM)发现该器件焊料层存有空洞，该方法可用来判断器件内部工艺的好坏。