文件名称:论文研究-应用于手机DDR控制芯片的延迟锁相环设计 .pdf
文件大小:528KB
文件格式:PDF
更新时间:2022-09-04 08:16:45
移动控制芯片
应用于手机DDR控制芯片的延迟锁相环设计,李军,李章全,本文设计了一种采用0.18um CMOS工艺,工作电压为1.8V,应用于手机DDR 控制芯片端的延迟锁相环(Delay lock loop,DLL),对controller端延迟锁相环
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移动控制芯片
应用于手机DDR控制芯片的延迟锁相环设计,李军,李章全,本文设计了一种采用0.18um CMOS工艺,工作电压为1.8V,应用于手机DDR 控制芯片端的延迟锁相环(Delay lock loop,DLL),对controller端延迟锁相环