文件名称：一种高性能的BiCMOS带隙基准电压源 (2009年)
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更新时间：2024-06-15 17:57:25
自然科学 论文
提出了一种新颖的利用负反馈环路以及RC滤波器提高电源抑制比的高精密CMOS带隙基准电压源．采用上海贝岭的1.2 μm BiCMOS工艺进行设计和仿真，spectre模拟表明该电路具有较高的精度和稳定性，带隙基准的输出电压为1.254 V，在2.7 V-5.5 V电源电压范围内基准随输入电压的最大偏移为0.012 mV，基准的最大静态电流约为11.27 μA；当温度-40℃～120℃范围内，基准温度系数为1 mV；在电源电压为3.6 V时，基准的总电流约为10.6 μA，功耗约为38.16 μW；并且基准在