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文件名称：NM／FS1／FS2／NM结的隧穿电导和隧穿磁电阻 (2008年)
文件大小：247KB
文件格式：PDF
更新时间：2021-06-13 10:27:26
自然科学 论文
利用平均场近似和转移矩阵方法，对NM／FS1／FS2／NM结(NM为非磁金属，FS1和FS2为铁磁半导体层)的隧穿磁电阻(TMR)与FS层厚度及Rashba自旋轨道耦合的关系进行了研究．结果表明NN／FS1／ FS2／NM结中TMR值随半导体层厚度的改变发生周期性变化，选择适当的半导体层的厚度和Rashba自旋轨道耦合系数可以得到大的TMR值．