镀镍硅基底上利用化学池沉积法制备二硫化钼膜 (2012年)

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文件名称：镀镍硅基底上利用化学池沉积法制备二硫化钼膜 (2012年)
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更新时间：2021-04-27 07:36:10
自然科学 论文 利用化学池沉积法在化学镀镍的n-Si基底上沉积MoS2薄膜.结果显示，MoS2膜的最佳合成条件为：钼酸铵浓度为10-4 mlo/L，退火温度为850℃，此时，得到具有六角晶形的Ⅱ型膜，MoS2膜晶体尺寸约200 nm.没有Ni诱导层的MoS2膜结晶很差，无确定取向.相同条件下，以Ni为诱导层的样品为具有沿[002]取向的Ⅱ型MoS2膜，并且具有较好的六角晶形，说明Ni诱导层对于得到Ⅱ型MoS2膜的重要性. Ni诱导层的影响归于液态S-Ni相的形成并提供的沿[002]方向的生长动力.