文件名称:一种基于MEMS技术的压力传感器芯片设计.pdf
文件大小:955KB
文件格式:PDF
更新时间:2022-10-05 10:34:05
综合文档
硅压力传感器是利用半导体硅的压阻效应制成, 其品质的优劣主要决定于敏感结构的设计与制作工艺. 文章从硅压力传感器敏感薄膜的选择、敏感电阻条的确定以及敏感电阻位置的选取, 设计了一种方案并进行了实验验证, 得出所设计的压力传感器精度达到0. 1%~ 0. 25% F. S.
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硅压力传感器是利用半导体硅的压阻效应制成, 其品质的优劣主要决定于敏感结构的设计与制作工艺. 文章从硅压力传感器敏感薄膜的选择、敏感电阻条的确定以及敏感电阻位置的选取, 设计了一种方案并进行了实验验证, 得出所设计的压力传感器精度达到0. 1%~ 0. 25% F. S.