CMOS射频低噪声放大器的设计 (2005年)

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文件名称：CMOS射频低噪声放大器的设计 (2005年)
文件大小：332KB
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更新时间：2021-05-15 07:26:09
工程技术 论文 讨论了CMOS射频低噪声放大器的相关设计问题，对影响其增益、噪声系数、线性度等性能指标的因素进行了分析，并综述了几种提高其综合性能指标的方法。在此基础上，采用SMIC 0.25μm CMOS工艺库，给出了3.8GHz CMOS LNA的设计方案。HSPICE仿真结果表明：电路的功率增益为13.48dB，输入、输出匹配良好，噪声系数为2.9dB，功耗为46.41mw。