物性参数对硅单晶Czochr alski生长过程的影响 (2006年)

【文件属性】：
文件名称：物性参数对硅单晶Czochr alski生长过程的影响 (2006年)
文件大小：473KB
文件格式：PDF
更新时间：2021-05-09 17:56:32
工程技术 论文 为了了解硅单晶Czochralski（Cz）法生长时物性参数对熔体流动和氧传输过程的影响，利用有限元法对炉内的传递过程进行了全局数值模拟，假定熔体和气相中的流动都为准稳态轴对称层流，熔体为不可压缩流体，Cz炉外壁温度维持恒定。结果表明：熔体的导热系数及发射率对熔体流动、加热器功率、结晶界面形状、晶体内轴向温度梯度和氧浓度有重要影响，而熔体的密度、黏度系数及熔解热对硅单晶Cz法生长过程影响较小。