文件名称：自偏置的多段曲率校正带隙基准源 (2010年)
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更新时间：2024-05-28 04:42:02
自然科学 论文
典型的带隙基准电压源电路是由CMOS工艺产生的具有负温度系数的寄生横向 BJT的发射结电压VEB和具有正温度系数的热电压Vt相补偿产生零温度系数的基准带隙电压源．但是VEB与温度不是线性关系,因此V REF需要被校正．本文介绍了一种高精度自偏置多段二次曲率补偿的CMOS带隙基准电压源．采用0.5μm CMOS工艺、工作电压为3. 3 V,该芯片室温下功耗为94μW.设计在0℃-75℃有效温度系数达到了0. 7 ppm／℃．