文件名称：Ag结合的有机-无机钙钛矿薄膜和平面异质结太阳能电池
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更新时间：2024-06-08 10:00:37
研究论文
可控材料极性和电荷载流子浓度的受控掺杂是半导体材料和器件的基础，由于离子半导体（例如ZnO和GaN）比共价半导体（例如Si和Ge）难于实现掺杂离子半导体中的高固有缺陷密度。 目前正在研究用于太阳能电池及其他领域的有机-无机钙钛矿材料，它也是离子半导体。 在这里，我们介绍了掺银的有机-无机钙钛矿薄膜和平面异质结太阳能电池。 用Ag +部分取代Pb2 +可改善薄膜的形貌，结晶度和载流子动力学，并改变费米能级并降低电子浓度。 因此，在具有倒置堆叠结构的平面异质结光伏器件中，Ag的引入导致基于MAPbI3的器件的功率转换效率从16.0％提高到18.4％，而基于MAPbI3-xClx的器件的功率转换效率从11.2％增强到15.4％。 我们的工作表明，尽管固有缺陷浓度很高，但掺入银是调节固溶钙钛矿材料中载流子浓度的可行途径。