电磁干扰对CMOS传输门的影响 (2012年)

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文件名称：电磁干扰对CMOS传输门的影响 (2012年)
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更新时间：2021-04-25 13:55:52
自然科学 论文 电磁干扰对于电子设备的影响日益明显，因此对其干扰机理的研究至关重要。该文采用器件物理模拟的方法，利用自主开发的2维半导体器件电路联合仿真器，研究了 CMOS传输门在频率从1MHz到20GHz，功率从-2到24dBm 电磁干扰作用下的响应。仿真结果表明：低频电磁干扰只要使得PMOS管或者NMOS管导通，电磁干扰就会在CMOS传输门断开的状态下通过；而高频电磁干扰则主要通过NMOS管的本征电容耦合到输出端，同时由于本征电容的旁路滤波作用受到一定的抑制。