镀锡铜箔表面小丘和晶须的生长行为 (2010年)

时间:2024-06-04 15:52:21
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文件名称:镀锡铜箔表面小丘和晶须的生长行为 (2010年)

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更新时间:2024-06-04 15:52:21

自然科学 论文

在电子产品的封装互连中,镀锡铜元件引脚随时间延长,有锡晶须形成,从而引发电子器件短路,甚至造成电子系统失效。本文针对镀锡铜箔表面的小丘和晶须的生长行为进行研究。首先,用化学镀在铜箔表面镀锡。将镀锡铜箔样品在100℃和200℃空气中时效8d,为了便于分析实验结果,将另一组镀锡铜箔样品在室温时效30 d。用扫描电子显微镜观察样品表面形貌,用X射线衍射仪对试样进行晶体结构分析。结果表明:样品在100℃时效有小丘和晶须形成,而在200℃时效8d和在室温时效30 d没有晶须形成。晶须生长是由镀层内部存在的压应力梯度


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