文件名称：凹槽形Cu衬底上同质外延生长的分子动力学模拟 (2011年)
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更新时间：2024-05-17 11:19:01
自然科学 论文
应用分子动力学方法模拟在刻有不同“深/宽”且截面为矩形凹槽的 Cu衬底上进行同质外延生长的 过程。原子间采用嵌入原子方法(EAM)模型。模拟结果表明,凹槽的“深/宽”及沉积粒子的入射能对晶界倾角θ和 V→/V↑产生影响,θ随入射能增大而增大,V→/V↑随入射能增大而减小 ;在1000 K温度时,“深/宽”为1/2时,不能 形成较理想的薄膜,薄膜表面外延生长方向全部为竖直方向 ;而在“深/宽”为1/1,入射能为10 eV时,能形成较理想 薄膜。