文件名称：基于内聚力模型的InSb面阵探测器失效分析 (2013年)
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更新时间：2024-06-11 07:46:58
工程技术 论文
基于内聚力模型，运用ANSYS仿真软件研究了InSb芯片在N电极附近的脱落和碎裂问题。模拟结果显示：在N电极区域，InSb芯片沿隔离沟槽存在明显的脱落趋势；为了解InSb芯片碎裂失效分布状况，在InSb芯片中做切分处理，并在切分面上选取等间距内聚节点，得到了节点沿X轴方向的相对分离量，及相对分离量最大节点沿不同坐标轴的变化趋势。模拟结果中InSb芯片脱落失效区域和分离量较大的内聚节点所在位置与典型InSb焦平面探测器光学碎裂分布相吻合，这为后续研究InSb芯片中裂纹起源及扩展提供参考。