文件名称：不同磁通密度50[thinsp]Hz磁场的细胞遗传学效应
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更新时间：2024-07-19 11:59:34
学术 论文
不同磁通密度的 50[thinsp]Hz 磁场的细胞遗传学效应 Bioelectromagnetics 21:589^596 (2000) 不同磁通密度的 50 Hz 磁场的细胞遗传学效应 A. Maes,1* M. Collier,1 S.Vandoninck ,1 P. Scarpa,2 和 L.Verschaeve1 1VITO，环境毒理学，Mol，比利时 2University of Lie:copyright: ge，应用电力系，Lie:copyright: ge，比利时 对暴露于 50 Hz 磁场后的人外周血淋巴细胞进行细胞遗传学研究单独或与化学诱变剂丝裂霉素 C 或 X 射线联合使用。 发现高达 2500 mT 的磁场不会显着影响染色体畸变和姐妹染色单体交换频率。 此外，联合治疗未能表明 ELF 磁场和诱变剂之间存在任何协同、增强或拮抗作用。 然而，有两个例外：在培养之前和期间暴露于 504 mT 磁场的细胞显示姐妹染色单体交换频率在统计学上显着降低。 此外，当细胞在 X 射线暴露后在 88.4 mT 磁场的存在下培养时，与单独的 X 射线暴露相比，染色体畸变频率显着增加